Пятница, 28.04.2017, 12:11
электроника
Форум Мой профиль
РегистрацияВход/Выход

Вы вошли как Гость · Группа "Гости"Приветствую Вас, Гость · RSS
МЕНЮ
Категории
Новости [22]
Новости мира электроники!
Статьи [50]
Схемы, конструкции, полезные материалы и т.д.
Чат
Что интересного
 Блог электроники
Главная » 2013 » Март » 5 » Нейтрализация входной емкости дифкаскада
22:29
Нейтрализация входной емкости дифкаскада
 Рассмотрим дифкаскад из следующего рисунка. Изначально дифкаскад должен состоять из транзисторов T1 и T2, а так же источника тока I2. Пусть затвор транзистора T2 заземлен. Входная емкость по затвору транзистора T1 считается как сумма половины емкости ЗИ плюс емкость ЗС умноженная на коэффициент усиления каскада плюс 1. Для снижения входной емкости и расширения полосы усиления каскада стандартно используется каскодная схема на транзисторах T3 и T4. При этом базы этих транзисторов фиксируют по уровню постоянного напряжения. Часто такая схема используется во входных каскадах усилителей с ОООС, подающейся на затвор транзистора T2. За счет этой ОООС происходит компенсация части входной емкости от емкости ЗИ. Коэффициент подавления этого члена равен глубине действующей ООС. Таким образом оставшийся, после введения какода член входной емкости равный емкости ЗС становится доминирующим. Что бы и его скомпенсировать, надо сделать так, что бы стоки входных транзисторов двигались по напряжению синхронно с затворами. В связи с наличием ООС истоки транзисторов дифкаскада как раз находятся под нужным сигналом достаточной мощности. Введем дополнительный источник тока I1 и резистор R1. Теперь базы транзисторов T3 и T4 находятся под нужным сигналом. Падение напряжения от источника тока I1 на резисторе R1 создает постоянную составляющую напряжения на стоке входных транзисторов. Для сохранения режима необходимо увеличить амплитуду тока источника I2 на ток источника I1. По сравнению со схемами с конденсатором, используемым для подачи переменного сигнала такой вольтдобавки, здесь глубина ПОС снижается в ВЧ области за счет делителя, состоящего из резистора R1 и входной емкости транзисторов T3 и T4. Это обеспечивает сохранение устойчивости схемы на ВЧ.



оригинал статьи - _http://musatoffcv.narod.ru/Secrets/NeytralizationCin.htm
Категория: Статьи | Просмотров: 2738 | Добавил: Denis_K | Рейтинг: 0.0/0
Всего комментариев: 0
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
[ Регистрация | Вход ]
Copyright Блог электроники 2017
Поиск
Архив записей
Календарь
«  Март 2013  »
ПнВтСрЧтПтСбВс
    123
45678910
11121314151617
18192021222324
25262728293031
Статистика
Друзья

    Корзина
    Ваша корзина пуста